В монографии известного специалиста из ФРГ рассматриваются конвективные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе экспериментальных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микро-неоднородностей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравитационной конвекцией.
Металлургия полупроводников
Бындин В.М., Добровольская В.И., Ратников Д.Г.
Описаны методы получения особо чистых материалов с применением индукционного нагрева, большое место уделено методам выращивания полупроводниковых монокристаллов и пленок, приведены упрощенные расчеты применяемых индукционных систем, определены требования, предъявляемые к источникам питания и системам автоматического регулирования, дано описание разработанного и внедренного на предприятиях оборудования для производства особо чистых материалов. Для инженеров, технологов, конструкторов и студентов.
Абрикосов Н.Х., Земсков В.С. (отв. ред.)
Сборник статей посвящен физико-химическим аспектам легирования полупроводников, рассматриваются вопросы: равновесие между фазами и взаимодействие компонентов в системах полупроводник - легирующие компоненты, коэффициенты распределения легирующих примесей между фазами, растворимость легирующих компонентов в полупроводниках и примесные уровни, термообработка легированных полупроводников, взаимодействие легирующих компонентов с дислокациями и вакансиями, диффузия в полупроводниках.
Лапидус И.И., Коган Б.А., Перепелкин В.В.
Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами. Рассмотрена техника безопасности в кремниевом производстве. Книга предназначена для рабочих полупроводникового производства. Может быть полезна студентам высших учебных заведений в отрасли получения полупроводниковых материалов.
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д.
Во втором издании учебника (первое вышло в 1982 г.) на современном уровне представлены общие положения термодинамики необратимых процессов; закономерности диффузии и термокинетики в неподвижной и движущейся средах, макрокинетики гетерогенных процессов; математическое описание двухфазных равновесий; Р—Т-х диаграммы состояния, их проекции и сечения. Рассмотрены материальный баланс, термодинамика и кинетика широко используемых процессов получения материалов из паровой, парогазовой и жидкой фаз.
Готра З.Ю.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств.
Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф.
Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло-и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде монокристаллов, стекла, керамики), используемых в электронной технике.Таиров Ю. М., Цветков В. Ф.
Издание предназначено для студентов университетов и технических вузов.