Эпитаксия

[epitaxy] — ориентир, рост одного кристалла на пов-ти др. (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещ-ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентиров, рост кристалла внутри объема др. наз. эндотаксией. Э. наблюд. при кристаллизации из любых сред (пара, р-ра, расплава), при коррозии и т.д. Э. определ. условиями сопряж. кристаллич. решеток нараст. кристалла и подложки. Легче всего сопрягаются вещ-ва, кристаллиз. в одинаковых или близких структурных типах. Э. широко использ. в микроэл-нике, устр-вах интегральной оптики в вычислит, технике и т.п.