Металлургия полупроводников

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф.

Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведеныобласти его примения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом поизводстве.

Фалькевич Э.С. (ред.) Технология полупроводникового кремния
современной технике пользуются рядом способов получения материалов высокой чистоты. Таковы йодидный метод, применяемый для очистки некоторых металлов, и метод зонной плавки; оба они описаны в разделе производства...
Таиров Ю. М., Цветков В. Ф.

 В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло-и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристал­лизации и стеклования, моделирования) при получении материалов элек­тронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде монокри­сталлов, стекла, керамики), используемых в электронной технике.
Издание предназначено для студентов университетов и технических вузов.
 
 В учебнике изложены особенности протекания основных процессов (тепло-и массопередачи, химических, переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования, моделирования) при получении материалов электронной техники. Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов (в виде монокристаллов, стекла, керамики), используемых в электронной технике.
Издание предназначено для студентов университетов и технических вузов.
 

Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов
Готра З.Ю.

Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств.

Технология микроэлектронных устройств: Справочник
Мюллер Г

В монографии известного специалиста из ФРГ рассматриваются конвектив­ные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе эксперименталь­ных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микро-неоднородностей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравита­ционной конвекцией. Книга содержит большое число иллюстраций, являющихся наглядной интерпретацией результатов технологических экспериментов. Обсуж­даются практические мероприятия, позволяющие устранить причины образования дефектов макро- и микронеоднородностей.

Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов в области технологии материалов, механики жидкости и газа, а также микро­электроники

 

Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д.

Во втором издании учебника (первое вышло в 1982 г.) на современном уровне представлены общие положения термодинамики необратимых процессов; закономерности диффузии и термокинетики в неподвижной и движущейся средах, макрокинетики гетерогенных процессов; математическое описание двухфазных равновесий; Р—Т-х диаграммы состояния, их проекции и сечения. Рассмотрены материальный баланс, термодинамика и кинетика широко используемых процессов получения материалов из паровой, парогазовой и жидкой фаз. На атомно-молекулярном уровне описана кинетика процессов получения эпитаксиальных слоев, пленок и монокристаллов. Впервые изложены методы нетермической активации и плазмохимические процессы, причины возникновения дефектов при ионном воздействии на материалы.
Предназначен для студентов вузов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника» и специальности «Материалы и компоненты твердотельной электроники»

 

Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной тех
Лапидус И.И., Коган Б.А., Перепелкин В.В.

Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами. Рассмотрена техника безопасности в кремниевом производстве. Книга предназначена для рабочих полупроводникового производства. Может быть полезна студентам высших учебных заведений в отрасли получения полупроводниковых материалов.

 

Металлургия поликристаллического кремния высокой чистоты
Абрикосов Н.Х., Земсков В.С. (отв. ред.)

Сборник статей посвящен физико-химическим аспектам легирования полупроводников, рассматриваются вопросы: равновесие между фазами и взаимодействие компонентов в системах полупроводник - легирующие компоненты, коэффициенты распределения легирующих примесей между фазами, растворимость легирующих компонентов в полупроводниках и примесные уровни, термообработка легированных полупроводников, взаимодействие легирующих компонентов с дислокациями и вакансиями, диффузия в полупроводниках. Помимо германия и кремния исследованы соединения типа AIIIBV, АIIВVI, АIIВIVCV и другие. Для широкого круга исследователей и практиков, работающих в области физики, химии, и технологии полупроводников.

Абрикосов Н.Х., Земсков В.С. (отв. ред.) Легированные полупроводники